文献

J-GLOBAL ID：201802257428799884   整理番号：18A1805394

4H-SiCにおける貫通転位の二光子励起,三次元光ルミネセンス撮像および転位線解析【JST・京大機械翻訳】

Two-photon-excited, three-dimensional photoluminescence imaging and dislocation-line analysis of threading dislocations in 4H-SiC

著者 (4件)： Tanuma R. (Materials Science Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Kamata I. (Materials Science Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Hadorn J. P. (Materials Science Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Tsuchida H. (Materials Science Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 12  ページ： 125703-125703-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2光子励起光ルミネセンス(2PPL)による4H炭化ケイ素(4H-SiC)エピ層における貫通刃転位(<a>TED),純粋c貫通螺旋転位(<c>TSDs),c+a貫通混合転位(<c+a>TMD)の三次元イメージングを,異なるオフカット角度のエピ層における転位の傾斜を調べた。キャリア拡散に基づく数値モデルにより,バンド端発光により与えられる暗コントラスト2PPLイメージングの機構を説明した。4H-SiCエピ層における450以上の貫通転位は三次元的に可視化され,余分な半平面とカイラル幾何学(右または左巻き螺旋)の方向に従って,6<a>型TED,2<c>型TSDs,12<c+a>型TMDに分類される。2PPL画像は,すべての貫通転位タイプがステップ流れ方向に傾斜し,その範囲がより大きなオフカット角度に対してより顕著であることを明らかにした。<a>TEDもそれらの余分な半平面の方向に傾斜している。ステップ流れ方向に垂直な<c>TSDの傾斜はキラリティにより影響され,一方,<c+a>TMDのそれらは余分な半平面の方向とキラリティの両方により影響される。転位傾斜の起源を,転位と成長表面上の前進段階との間の速度論的相互作用を考慮して考察した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  *三次元 ,  可視化 ,  画像 ,  螺旋転位 ,  半平面 ,  *貫通転位 ,  画像処理 ,  炭化ケイ素 ,  *撮像 ,  速度論 ,  コントラスト ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： キラリティ ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  貫通転位 ,  二光子励起 ,  光ルミネセンス ,  撮像 ,  解析