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J-GLOBAL ID：201802257436920691   整理番号：18A0838789

超薄FDSOI MOSFETにおけるキンク効果【JST・京大機械翻訳】

Kink effect in ultrathin FDSOI MOSFETs

著者 (4件)： Park H.J. (IMEP-LaHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France) ,  Bawedin M. (IMEP-LaHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France) ,  Choi H.G. (TCAD Team, DMR Group, R&D Division, SK Hynix Inc., Republic of Korea) ,  Cristoloveanu S. (IMEP-LaHC, Minatec, Grenoble INP, University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 143  ページ： 33-40  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 系統的実験により,FDSOI MOSFETにおいてさえキンク効果の存在を実証した。バックゲートバイアスはバック蓄積チャネルの形成によりキンク効果を制御する。キンクは,膜厚とチャネル長さに従って,より多いか,より少ない。しかし,超薄(<10nm)および/または非常に短いトランジスタ(L<50nm)において,キンクは超結合効果の結果として全く存在しない。体接触の利用可能性により,体電位を調べて,キンク効果開始に及ぼす多数のキャリア蓄積とドレインパルス幅の影響を実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  *キンク ,  *MOSFET ,  チャネル ,  パルス幅 ,  電位 ,  膜厚
準シソーラス用語： キャリア蓄積 ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： SOI ,  FDSOI ,  MOSFET ,  浮体効果 ,  キンク効果 ,  スーパーカップリング ,  身体電位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： FDSOI ,  MOSFET ,  キンク