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J-GLOBAL ID：201802257513089579   整理番号：18A1043422

強誘電及び反強誘電メモリの信頼性の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories

著者 (4件)： Pesic Milan (Namlab gGmbH, Dresden, Germany) ,  Schroeder Uwe (Namlab gGmbH, Dresden, Germany) ,  Slesazeck Stefan (Namlab gGmbH, Dresden, Germany) ,  Mikolajick Thomas (Namlab gGmbH, Dresden, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 18  号： 2  ページ： 154-162  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2の中の強誘電(FE)特性の発見によって,FE材料に基づく最先端技術ノードと不揮発性メモリの間のスケーリングギャップを架橋することができた。非揮発性に加えて,新しい記憶概念は,十分な耐久性と操作安定性を保証しなければならない。しかし,最適化されたペロブスカイトベースのFEとは対照的に,二元酸化物ベースのFEメモリは,メモリウィンドウ(MW)の変化を示し,その後,MWのハードな破壊または閉鎖のいずれかが続いた。最近,反Fe(AFE)材料は,FE対応物に関して非常に安定で,著しく高い耐久性を示すことを示した。AFE材料のロバスト性と顕著なサイクル性能に触発されて,これらのデバイスの残留信頼性の側面を解析した。素子に集積したときのコンデンサスタックの純粋な膜特性とスイッチング性能を特性化することにより,FEとAFEメモリの温度安定性,インプリント,保持,及び可変性を比較し,調べた。部分的スイッチングと低いスイッチング誘起応力と共に克服されるべき低エネルギー障壁がFEベースのメモリに関してAFEの高い耐久性の原因であるかどうかを調べた。包括的モデリングと組み合わせた漏れ電流分光法と共に電荷トラッピングと電荷ポンピング試験を利用することにより,仮定をチェックした。さらに,これらのデバイスの最も弱いリンクとして界面バッファ層を同定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  耐久性 ,  バッファ層 ,  最適化 ,  不揮発性メモリ ,  スイッチング ,  *信頼性 ,  *記憶装置 ,  酸化物 ,  ロバスト性 ,  漏れ電流 ,  モデリング ,  界面 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (1件)： 研究