文献

J-GLOBAL ID：201802257519811455   整理番号：18A1620736

狭いメサIGBTにおけるコレクタ誘起障壁低下効果を抑制する新しいアプローチ【JST・京大機械翻訳】

A Novel Approach to Suppress the Collector-Induced Barrier Lowering Effect in Narrow Mesa IGBTs

著者 (3件)： Luo Peng (Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  Long Hong Yao (Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  Narayanan E. M. S. (Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 9  ページ： 1350-1353  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に狭いメサを有する凹型p+-カソードIGBT(RP-IGBT)構造を1.2kVのフィールドストップ技術における3-Dシミュレーションによって解析した。従来の狭いメサIGBTと比較して,RP-IGBTは,コレクタ誘起障壁低下効果を効果的に抑制することができ,したがって,飽和電流における2/3の減少を達成することができた。結果として,400Kの接合温度で10μs以上の短絡能力を可能にした。最も重要なことに,提案したRP-IGBT構造はオン状態性能に影響を及ぼさず,その順方向電圧降下は400Kで200A/cm2の電流密度で1.1Vに留まった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *IGBT ,  電流密度 ,  シミュレーション ,  カソード ,  三次元 ,  凹形 ,  電圧降下
準シソーラス用語： オン状態 ,  接合温度 ,  飽和電流 ,  *DIBL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： IGBT ,  コレクタ ,  誘起 ,  障壁低下効果