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J-GLOBAL ID：201802257551576533   整理番号：18A1981035

オンチップ温度補償回路を用いた1~30GHz超広帯域低雑音増幅器

1-30 GHz ultra-wideband low noise amplifier with on-chip temperature-compensation circuit

著者 (5件)： Yang Lin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University) ,  Yang Lin-An (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University) ,  Rong Taotao (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University) ,  Jin Zhi (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 15  号： 20  ページ： 20180804(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,簡単なオンチップ温度補償回路を有する1~30GHz超広帯域低雑音増幅器(LNA)MMICを示した。二つのGaAsメサ抵抗器と二つのニッケルクロム(Ni/Cr)薄膜抵抗器から成る温度補償回路は広い動作周波数範囲にわたって温度の変化を正確に補償できた。作製したLNAは,-55°Cから+125°Cまでの温度範囲で,3.4から0.8dB(0.4dB/ステージ)への利得変化の改善を実証した。これにより,超広帯域LNAに対してこれまで報告された温度による利得変動よりも小さい利得変動(0.0022dB/°C/ステージ)を実現した。温度補償回路の有無によるLNAの性能を比較することにより,温度補償回路の使用は回路性能の他の側面を劣化させず,元の増幅器チップの面積も増加させないことも分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 周波数 ,  広帯域 ,  通信方式 ,  *温度補償 ,  *低雑音増幅器 ,  *超小形回路技術 ,  MMIC ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  抵抗器
準シソーラス用語： *オンチップ ,  超広帯域 ,  電気抵抗器 ,  動作周波数 ,  半導体ヒ化ガリウム

著者キーワード (4件)： LNA ,  温度補償 ,  超広帯域 ,  PHEMT

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (10件)：

• [1] G. Nikandish, et al.: “A broadband multistage LNA with bandwidth and linearity enhancement,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 26 (2016) 834 (DOI: 10.1109/LMWC.2016.2605446).
• [2] W. Chen, et al.: “4-20 GHz low noise amplifier MMIC with on-chip switchable gate biasing circuit,” IEICE Electron. Express 14 (2017) 20170711 (DOI: 10.1587/elex.14.20170711).
• [3] X. Ding and L. Zhang: “A high-efficiency GaAs MMIC power amplifier for multi-standard system,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 26 (2016) 55 (DOI: 10.1109/LMWC.2015.2505615).
• [4] M. A. Alim and A. A. Rezazadeh: “Temperature-dependent DC and small-signal analysis of AlGaAs/InGaAs pHEMT for high-frequency applications,” IEEE Trans. Electron Devices 63 (2016) 1005 (DOI: 10.1109/TED.2016.2517934).
• [5] C. W. Huang, et al.: “A Ku-band four-stage temperature compensated PHEMT MMIC power amplifier,” Microw. Opt. Technol. Lett. 44 (2005) 480 (DOI: 10.1002/mop.20673).

タイトルに関連する用語 (4件)： オンチップ ,  温度補償回路 ,  広帯域 ,  低雑音増幅器