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J-GLOBAL ID：201802257590291820   整理番号：18A1575217

水素アニールBZO前電極が非晶質シリコン薄膜太陽電池の性能に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of H Annealed BZO as Front Contact on Properties of Thin Films Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells

著者 (7件)： Tang Lu (江西科技学院 協同創新中心,江西 南昌,330098) ,  Xue Fei (江西科技学院 協同創新中心,江西 南昌,330098) ,  Guo Peng (江西科技学院 協同創新中心,江西 南昌,330098) ,  Luo Zhe (江西科技学院 協同創新中心,江西 南昌,330098) ,  Li Wang (江西科技学院 協同創新中心,江西 南昌,330098) ,  Li Xiaomin (南昌大学 光伏研究院,江西 南昌,330031) ,  Liu Shiyong (浙江正泰太陽能科技有限公司,浙江 杭州,310053)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 39  号： 6  ページ： 838-843  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： BZO膜を低圧化学蒸着によりガラス基板上に調製し,BZOを水素アニーリングにより処理し,次に,非晶質シリコン薄膜太陽電池の製造と性能を調べた。その結果;水素雰囲気下のアニーリング後,BZO薄膜のキャリア濃度はほとんど変化しなかったが,Hall移動度は著しく向上し,これはBZO膜の伝導能力を向上させた。厚さが小さく、透過率が高いBZO薄膜を用いて、水素アニールを行った後、前電極構造として、非晶質シリコン薄膜太陽電池の短絡電流密度は0.30.4mA/cm2向上し、電池の変換効率は0.2%向上した。実験結果は,前電極構造を最適化することにより,非晶質シリコン薄膜太陽電池の変換効率を向上するための簡易方法を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  キャリア密度 ,  最適化 ,  *水素 ,  透過率 ,  *電池 ,  *焼なまし ,  LPCVD ,  *アモルファスシリコン ,  Hall移動度
準シソーラス用語： 変換効率 ,  短絡電流密度 ,  電極構造 ,  ガラス基板 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BZO thin film ,  front contact ,  transmittance ,  amorphous silicon thin film solar cells ,  conversion efficiency

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素 ,  アニール ,  非晶質シリコン ,  薄膜太陽電池