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J-GLOBAL ID：201802257694087195   整理番号：18A2042249

高電圧4H-SiCデバイスエッジ終端設計に及ぼす注入アルミニウムイオンの横方向ストラグリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Lateral Straggling of Implated Aluminum Ions on High Voltage 4H-SiC Device Edge Termination Design

著者 (3件)： Jiang Yi Fan (North Carolina State University, NSF FREEDM Systems Center; NC, USA) ,  Baliga B. Jayant (North Carolina State University, NSF FREEDM Systems Center; NC, USA) ,  Huang Alex Q. (North Carolina State University, NSF FREEDM Systems Center; NC, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 361-364  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低バックグラウンドドーピング濃度の4H-SiCに注入したアルミニウムプロファイルの解析を示した。強い横方向ストラグリング効果を二次電子ポテンシャルコントラスト(SEPC)法により発見し,Sentaurus Mon Carloシミュレーションにより解析した。Sentaurus TCADシミュレーションツールを用いてエッジ終端設計に横方向ストラグリングの効果を含め,その結果を横方向ストラグリング効果を含まない設計と比較した。異なる10kVデバイス端部終端設計の電界分布と破壊電圧に及ぼす界面電荷の影響を比較し,解析した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： 界面電荷 ,  絶縁破壊電圧 ,  電界分布 ,  シミュレーションツール ,  TCAD ,  二次電子 ,  *アルミニウムイオン ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： エッジ終端 ,  イオン注入 ,  側方ストラグリング

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高電圧 ,  4H-SiC ,  エッジ ,  終端 ,  設計 ,  注入 ,  アルミニウムイオン ,  横方向