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J-GLOBAL ID：201802257917555372   整理番号：18A1008189

ホモエピタキシャルp型GaNにおける深準位欠陥【JST・京大機械翻訳】

Deep-level defects in homoepitaxial p-type GaN

著者 (1件)： Nakano Yoshitaka (Department of Electrical and Electronic Engineering, Chubu University, Kasugai, Aichi 487-8501, Japan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 2  ページ： 023001-023001-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN基板上に有機金属化学蒸着により成長させた~1.4×10~17cm-3のMgドーピング濃度をもつp型GaNのホモエピタキシャル層における深準位欠陥を調べた。5つの深い準位欠陥が,伝導帯の下の約3.08と~3.28eVの価電子帯上で,~1.80,~2.48,~3.18eVでのそれらの光学的オンセットによって明らかにされた。~1.80,~3.18および~3.28eVレベルは高い欠陥濃度を有していた。特に,~1.80および~3.28eVレベルの密度は,おそらく表面へのMgの偏析により,深さの減少とともに増加した。これらの3つの深い準位欠陥は,それぞれGa空格子点,N空格子点関連補償ドナー,および深いMgアクセプタと関連している可能性が最も高い。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  マグネシウム ,  伝導バンド ,  ドナー ,  *HOMO ,  *窒化ガリウム ,  ドーピング ,  *深い準位 ,  アクセプタ ,  偏析 ,  MOCVD ,  エピタキシャル層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  GaN ,  深準位 ,  欠陥