文献

J-GLOBAL ID：201802258010191480   整理番号：18A0237529

角度分解光電子分光法による異方性ナローギャップ半導体における遍歴キャリアの証拠【Powered by NICT】

Evidence for Itinerant Carriers in an Anisotropic Narrow-Gap Semiconductor by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy

著者 (13件)： Ju Sailong (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, P. R. China) ,  Bai Wei (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, iCHEM, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, P. R. China) ,  Wu Liming (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, P. R. China) ,  Lin Hua (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, P. R. China) ,  Xiao Chong (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, iCHEM, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, P. R. China) ,  Cui Shengtao (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, P. R. China) ,  Li Zhou (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, iCHEM, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, P. R. China) ,  Kong Shuai (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, P. R. China) ,  Liu Yi (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, P. R. China) ,  Liu Dayong (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 1129, Hefei, Anhui, 230031, P. R. China) ,  Zhang Guobin (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, P. R. China) ,  Sun Zhe (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, P. R. China) ,  Xie Yi (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, iCHEM, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201704733  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体の電子構造を正確に測定する能力は,現代の機能性材料のための重要な前提条件となっている。例えば,電子構造の正確な決定は三個の熱電パラメータ,高性能熱電材料を設計するための最大の課題であるのバランスをとるのを助ける。ここでは,高分解能,角度分解光電子放出分光法(ARPES)により,CsBi_4Te_6(CBT)における遍歴キャリアを初めて明らかにした。CBTは低温熱電応用のための実用的な候補として使用される典型的な異方性,ナローギャップ半導体であり,p型ドープCBTシリーズは,比較的低いキャリア濃度で超伝導を示した。ARPESの結果は,計算,CBTにおける異方的とitinerantlyキャリア輸送を意味するよりもFermi面近くにかなり大きい帯域幅を示した。ナローギャップ半導体におけるキャリアのこれらの新たに発見された特徴である最適熱電材料と超伝導体を設計するための有望であることを信じることは合理的である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  *異方性 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  機能材料 ,  熱電材料 ,  高分解能 ,  超伝導 ,  光電子放出 ,  超伝導体 ,  電子構造 ,  Fermi面
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  *ナローギャップ半導体 ,  *ARPES , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 角度分解光電子放出分光法 ,  CsBi4Te6 ,  遍歴キャリア ,  ナローギャップ半導体

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 角度分解光電子分光法 ,  異方性 ,  ナローギャップ半導体 ,  キャリア ,  証拠