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J-GLOBAL ID：201802258023071586   整理番号：18A0588566

3次元逐次集積化のための低温ゲートスタックプロセスステップに関する信頼性解析【Powered by NICT】

Reliability analysis on low temperature gate stack process steps for 3D sequential integration

著者 (10件)： Tsiara A. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Garros X. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Lu C.-M. V. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Fenouillet-Beranger C. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Batude P. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Gassilloud R. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Martin F. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Faynot O. (CEA, LETI, MINATEC Campus) ,  Ghibaudo G. (IMEP-LAHC Grenoble, France) ,  Reimbold G. (CEA, LETI, MINATEC Campus)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低温ゲートスタックプロセスフロー中のステップのいくつかの3D連続統合に必要なの効果を調べた。高k層の窒化,窒化後アニーリング温度と最終的に,バックエンドフォーミングガス。時間依存欠陥分光法を用いて,分割間の主な違いを示さないゲートスタック(t0信頼性)の品質に及ぼす既存トラップの影響を評価でき,それらはすべて低温ドーパント活性化プロセスを有するからである。しかし,負バイアス温度不安定性測定を適用することにより,N2/H2窒化の分割を用いて,小さい等価酸化膜厚さと低分解の最良の妥協点を持つことを観測した。同時に二ポスト窒化アニール温度の間のストレスの影響に差は観測されなかった。この方法では,低温側に移動することができた。最後に,バックエンドフォーミングガスとしての重水素を用いて,著者らは,いくつかの主要なプロセスステップのための,高性能と低分解,今後のスケーリングに必要なを達成するための一連のガイドラインを与える可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  *三次元 ,  時間依存性 ,  重水素 ,  窒化 ,  *低温 ,  ドーパント ,  *信頼性解析 ,  品質
準シソーラス用語： 等価酸化膜厚 ,  NBTI ,  *ゲートスタック ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3次元 ,  逐次 ,  集積化 ,  低温 ,  信頼性解析