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J-GLOBAL ID：201802258041296201   整理番号：18A1028282

屋外曝露中の市販シリコン薄膜モジュール中に形成された可視欠陥の詳細な解析【JST・京大機械翻訳】

A detailed analysis of visible defects formed in commercial silicon thin-film modules during outdoor exposure

著者 (6件)： Gerber Andreas (IEK5-photovoltaics, Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, 52425, Germany) ,  Johnston Steve (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, 80401, USA) ,  Olivera-Pimentel Guillermo (IEK5-photovoltaics, Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, 52425, Germany) ,  Siegloch Max (IEK5-photovoltaics, Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, 52425, Germany) ,  Pieters Bart (IEK5-photovoltaics, Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, 52425, Germany) ,  Rau Uwe (IEK5-photovoltaics, Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, 52425, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インドの屋外設置からのシリコン薄膜タンデム(a-Si:H/μc-Si:H)モジュールの欠陥を解析した。いくつかの影響を受けたモジュールの検査は,光学的に明るいスポットとして現れる欠陥の大部分が分離と直列接続レーザ線の近くで主に形成されることを明らかにした。断面SEM分析により,明るいスポットは,影響を受けた領域における前面TCOからのセルの層間剥離によって引き起こされる電気絶縁によって出現することが明らかになった。さらに,a-Si:H上部セルの形態は,周囲の影響を受けない領域と比較して剥離領域で異なる。これらの効果は,a-Si:H層からの水素の爆発的で熱的に誘発された放出によって引き起こされる可能性があることを提案した。電気的および熱的測定は,これらの欠陥がセル性能に著しく影響することを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： レーザビーム ,  層間剥離 ,  熱的測定 ,  *直列接続 ,  形態 ,  水素 ,  インド
準シソーラス用語： a-Si:H ,  *シリコン薄膜 ,  *屋外曝露 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 屋外曝露 ,  シリコン薄膜 ,  モジュール ,  欠陥 ,  解析