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J-GLOBAL ID：201802258079063150   整理番号：18A0859914

スケーリング端におけるIII-VチャネルFETの2Dおよび3D TCADシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

2D and 3D TCAD simulation of III-V channel FETs at the end of scaling

著者 (3件)： Aguirre P. (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Rau M. (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Schenk A. (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドリフト拡散補正および単純な弾道移動度モデルを用いて,スケール2Dおよび3D III-VチャネルFETのI_dV_gs特性をシミュレーションした。二重ゲート超薄体形状のサブ閾値スイングを異なるゲート長に対して抽出し,半古典的結果を量子輸送シミュレータQTXからのそれらと比較した。弾道移動度は,線形領域におけるオン電流を除いて,ゲート全体のナノワイヤFETのQTX移動曲線を回復させた。ソースからドレインへのトンネリングは約10nmのゲート長でスケーリングする限界を設定することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  シミュレータ ,  電流 ,  移動度 ,  *二次元 ,  トンネル効果 ,  *三次元 ,  *チャネル
準シソーラス用語： ナノワイヤトランジスタ ,  量子輸送 ,  ゲート長 ,  サブ閾値スイング ,  二重ゲート ,  ドリフト拡散 ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： スケーリング ,  チャネル ,  FET ,  2D ,  3D ,  TCAD ,  シミュレーション