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J-GLOBAL ID：201802258087271259   整理番号：18A1227318

磁場-パルスプラズマ援用化学気相成長法による環境セル用a-SiCN隔膜の開発

Development of a-SiCN Diaphragm for Environmental Cell by Magnetic-Field Assisted Pulsed-Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method

著者 (4件)： 村野正典 (近畿大 大学院総合理工学研究科) ,  山崎佳代 (近畿大 大学院総合理工学研究科) ,  松谷貴臣 (近畿大 大学院総合理工学研究科) ,  川崎忠寛 (ファインセラミックスセ)
資料名： プラズマ応用科学  (Applied Plasma Science)
巻： 23  号： 2  ページ： 95-101  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： L4460A  ISSN： 1340-3214  CODEN： POKAFE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 環境セル透過型電子顕微鏡(E-TEM)用の非晶質窒化ケイ素(a-SiCN)ダイヤフラムを作製するために,磁場支援パルスプラズマ支援化学蒸着(MPECVD)を開発した。300Vと600Vの間のパルスプラズマを照射したN₂とAr雰囲気中でヘキサメチルジシラザン(HMDSN)前駆体からa-SiCN膜を調製した。蒸着速度は,従来のPECVDと比較して磁場の増強により増加した。ダイヤフラムをSi(100)と直径100μmのCu格子に適用した。Fourier変換赤外スペクトルおよびX線光電子スペクトルは,有機化合物の分解およびダイヤフラム中のSi-NおよびC-N結合の形成が,パルス電圧およびN₂流量の増加および周囲圧力の減少によって促進されることを明らかにした。ダイヤフラムは200kV電子において非晶質で透明であり,E-TEMでは電荷は観測されなかった。高パルス電圧でダイヤフラムを蒸着したとき,電子ビームに対する耐久性とEセル中の反応ガスが改善された。高分解能E-TEM観察を得るために,蒸着後の窒素プラズマ照射により,ダイヤフラムを薄くし平坦化した。非常に薄い(約15nmの厚さ),高い圧力抵抗(0.3MPa)を有するダイヤフラムを,MPECVDによって首尾よく開発した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  プラズマ ,  パルス放電 ,  磁場効果 ,  隔膜 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  ダイヤフラム ,  *プラズマCVD ,  非晶質 ,  前駆体 ,  堆積速度 ,  赤外スペクトル ,  電子ビーム
準シソーラス用語： Fourier変換スペクトル ,  パルスプラズマ ,  蒸着速度 ,  窒素プラズマ

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシラザン

引用文献 (9件)：

• Ueda K, Kawasaki T, Hasegawa H, Tanji T, Ichihashi M.: First observation of dynamic shape changes of a gold nano-particle catalyst under reaction gas environment by transmission electron microscopy, Surf Interface Anal. 40 (2008) pp.1725-1727.
• Kolmakov A, Dikin D. A, Cote L. J, Huang J, Abyaneh M. K, Amati M, Gregoratti L, Günther S, Kiskinova M.: Graphene oxide windows for in situ environmental cell photoelectron spectroscopy, Nature Nanotechnology, 6 (2011) pp.651-657.
• Jedrzejowski P, Cizek J, Amassian A, Klemberg-Sapieha J.E, Vlcek J, Martinu L, Mechanical and optical properties of hard SiCN coatings prepared by PECVD, Thin Solid Films 447-448 (2004) pp.201-207.
• Ivashchenko V. I, Porada K, Ivashchenko L. A, Timofeeva I. I, Sinel'nichenko O. K, Butenko O. O, Ushakov M. V, Ushakova L. A, Characteristics of thin plasmachemical silicon carbon nitride films deposited using hexamethyldisilane, Powder Metall. Ceram., 48 (2009) pp.66-72.
• Sundaram K. B, Alizadeh Z, Todi R. M, Desai V. H, Investigations on hardness of rf sputter deposited SiCN thin films, Mater. Sci. Eng. A368 (2004) pp.103-108.

タイトルに関連する用語 (8件)： 磁場 ,  パルスプラズマ ,  援用 ,  化学気相成長法 ,  環境 ,  セル ,  隔膜 ,  開発