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J-GLOBAL ID:201802258304584008   整理番号:18A2026697

高データレートおよび低遅延時間I/Oインタフェイスボードのための表皮効果抑制NiFe/Cu電気めっき多層配線【JST・京大機械翻訳】

Skin Effect Suppressed NiFe/Cu Electroplated Multilayer Wiring for High Data-Rate and Low Delay-Time I/O Interface Board.
著者 (8件):
資料名:
巻: 2018  号: INTERMAG  ページ:発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,高速・低遅延I/Oボード(代表的な配線長:200~1000mm)における長い配線のための,スキン効果抑制技術[1]-[4]の新しい応用を提案した。この提案は,50Gbps以上のデータ速度をもつI/O基板上の伝送損失をさらに低減することの困難性を克服する。これは,誘電体基板損失とCu導体の表面平滑化を低下させることによって現在行われている。本論文における主要な課題は,文献[2]-[4]におけるスパッタ蒸着薄膜の代わりに,電気めっきした磁気/導体多層による表皮効果抑制を実証することである。それは,費用対効果の高い,厚い(>5μm),大面積,および高スループットの大量生産性要件を満たすためである。複素透磁率の高周波(>10GHz)推定と低抵抗素子の測定も調べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 

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