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J-GLOBAL ID：201802258376364245   整理番号：18A2095939

二層リフトオフUV-NILとナノワイヤ破壊によるPtナノギャップ電極の作製【JST・京大機械翻訳】

Pt Nanogap Electrode Fabrication by Two-Layer Lift-Off UV-NIL and Nanowire Breakdown

著者 (5件)： Hashiguchi Kyouhei (Department of Technology, Chiba Institute of Technology, Narashino, Japan) ,  Suzuki Kenta (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Hiroshima Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Naitoh Yasuhisa (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Suga Hiroshi (Department of Technology, Chiba Institute of Technology, Narashino, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 17  号： 6  ページ： 1094-1097  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノギャップ電極は単一分子とナノ粒子の電気的性質の研究を助け,不揮発性メモリにも応用されている。本研究では,紫外ナノ跡トリソグラフィー(UV-NIL)とナノワイヤ破壊法を組み合わせることにより,ナノギャップ電極を作製するプロセスを開発した。300nmの幅を持つPt/Tiナノワイヤのパターンを,アルカリ可溶性高分子を用いた二層リフトオフUV-NILにより酸化ケイ素層上に形成した。ナノワイヤ電極に印加したステップ電圧を制御することにより,ナノメートルの距離をもつPtナノギャップを作製した。Ptナノギャップのスイッチング挙動を実証した。スイッチング動作は100サイクルで行うことができ,10~2以上の高い抵抗比が得られることを確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *ナノワイヤ ,  *白金 ,  高分子 ,  電圧 ,  不揮発性メモリ ,  酸化ケイ素 ,  電気的性質 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 単一分子 ,  *ナノギャップ電極 ,  *リフトオフ ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 二層 ,  リフトオフ ,  NIL ,  ナノワイヤ ,  破壊 ,  Pt ,  ナノギャップ電極 ,  作製