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J-GLOBAL ID：201802258466556680   整理番号：18A2043876

異なるパワーでRFマグネトロンスパッタリングにより作製した酸素欠損酸化スズ膜の堆積と電気抵抗率【JST・京大機械翻訳】

Deposition and Electrical Resistivity of Oxygen-Deficient Tin Oxide Films Prepared by RF Magnetron Sputtering at Different Powers

著者 (4件)： Wang Qi (China University of Geosciences (Beijing), Beijing Key Laboratory of Materials Utilization of Nonmetallic Minerals and Solid Wastes, National Laboratory of Mineral Materials, School of Materials Science and Technology,; Beijing, China, 100083) ,  Peng Zhi Jian (China University of Geosciences, School of Engineering and Technology; Beijing, China, 100083) ,  Wang Yang (China University of Geosciences, School of Engineering and Technology; Beijing, China, 100083) ,  Fu Xiu Li (Beijing University of Posts and Telecommunications, School of Science; Beijing, China, 100876)
資料名： Solid State Phenomena  (Solid State Phenomena)
巻： 281  ページ： 504-509  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0583A  ISSN： 1012-0394  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連の酸素欠乏酸化スズ薄膜を,2.0×10~4Pa以上の圧力,2.0Paのスパッタリング圧力,20分の蒸着時間のもとで,異なるスパッタリング出力(80~160w)で純アルゴン雰囲気下で焼結酸化すずセラミックターゲットを高周波マグネトロンスパッタリングにより蒸着した。すべての蒸着膜は酸素欠損酸化スズ膜であり,膜中の主欠陥は酸素空孔(V_O)であり,その濃度はスパッタリング出力の増加と共に徐々に減少することが明らかになった。120w以上のパワーで調製した膜は非晶質で,スパッタリングパワーが140と160wに増加すると,堆積した薄膜は(110),(101),(211)回折ピークをもつ多結晶特性を示した。得られた膜の結晶粒サイズ,堆積速度および厚さは,スパッタリングパワーの増加とともに上昇した。さらに,スパッタリング出力が増加すると,試料中のV_Oにより制御された電子伝導機構により,膜の電気抵抗率は増加した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  薄膜 ,  焼結 ,  蒸着膜 ,  結晶粒径 ,  セラミック ,  非晶質 ,  *スパッタリング ,  *酸化スズ ,  蒸着 ,  多結晶 ,  酸素欠乏
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *酸素欠陥 ,  *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸素空孔 ,  電気抵抗率 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  酸化スズ膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  酸素欠損 ,  酸化スズ ,  堆積 ,  電気抵抗率