文献

J-GLOBAL ID：201802258560441866   整理番号：18A1028822

超薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池の不動態化背面接触としてのパターン化TiO_2とAl_2O_3層の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative study of patterned TiO₂ and Al₂O₃ layers as passivated back-contact for ultra-thin Cu(In,Ga)Se₂ solar cells

著者 (8件)： Mollica F. (EDF R&D, IRDEP, 6 quai Watier, 78400 Chatou, France) ,  Goffard J. (Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), route de Nozay, 91260 Marcoussis, France) ,  Jubault M. (EDF R&D, IRDEP, 6 quai Watier, 78400 Chatou, France) ,  Donsanti F. (EDF R&D, IRDEP, 6 quai Watier, 78400 Chatou, France) ,  Collin S. (Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), route de Nozay, 91260 Marcoussis, France) ,  Cattoni A. (Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), route de Nozay, 91260 Marcoussis, France) ,  Lombez L. (CNRS, IRDEP (UMR 7174), 6 quai Watier, 78400 Chatou, France) ,  Naghavi N. (CNRS, IRDEP (UMR 7174), 6 quai Watier, 78400 Chatou, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,キャリア収集を改善するための超薄Cu(In,Ga)Se_2ベース(CIGS)太陽電池のための低コスト不動態化背面接触を開発した。界面再結合による電流損失を正確な光-電気モデルで最初に推定した。背面接触不動態化のためのゾル-ゲルTiO_2とALD-Al_2O_3層の使用を比較した。ナノ跡トリソグラフィーでパターン化した点接触を持つ酸化物/Mo基板上に400~420nmのCIGSセルを作製した。パターン-Mo/Al_2O_3バックコンタクトの使用は,標準的なMoバックコンタクトと比較してセル性能の増加をもたらす。不動態化効果を議論し,光ルミネセンスにより特性化した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モリブデン ,  点接触 ,  ゾル-ゲル法 ,  電流 ,  *パターン形成 ,  アルミニウム ,  酸化物 ,  *不動態化 ,  *太陽電池 ,  界面 ,  再結合 ,  キャラクタリゼーション ,  光ルミネセンス ,  対角和
準シソーラス用語： セレン化ガリウムインジウム銅 ,  キャリア収集 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  不動態化 ,  背面接触 ,  パターン化 ,  研究