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J-GLOBAL ID：201802258662588720   整理番号：18A0128611

Heイオンを注入した4H及び6H-SiCのRaman分光法による研究【Powered by NICT】

Raman spectroscopic study of He ion implanted 4H and 6H-SiC

著者 (4件)： Ali A. Ashraf (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India) ,  Kumar J. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600 025, India) ,  Ramakrishnan V. (Indian Institute of Science Education and Research, Thiruvanthapuram, India) ,  Asokan K. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 213  ページ： 208-210  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,原子間力顕微鏡(A FM)およびRaman分光法により光学的性質を用いた表面形態は,低エネルギーHeイオン注入による4H-SiCと6H-SiCウエハにおける改質を理解するために使用した。A FMの結果は,He注入は試料の表面の膨潤を示すことを示した。も4H-SiCの表面粗さはHe注入後の6H-SiCよりも約三倍高いことが観察された。Ramanスペクトルは4H-SiCにおける強い二次光学モードの増強を示し,観察された表面粗さに補完的である。光増強も炭素のsp~2.~3ハイブリダイゼーションと関連している。Ramanスペクトルも音響フォノンの増強からのSi原子の単原子格子の存在を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘリウム ,  膨潤 ,  *イオン ,  光学モード ,  *炭化ケイ素 ,  イオン注入 ,  *Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  光学的性質 ,  Ramanスペクトル ,  炭素
準シソーラス用語： 単一原子 ,  音響フォノン ,  低エネルギー ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： イオン注入 ,  SiC ,  Raman

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： He ,  イオン ,  注入 ,  6H-SiC ,  Raman分光法 ,  研究