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J-GLOBAL ID：201802258694736036   整理番号：18A1506500

小面積シリコン金属-酸化物-半導体トランジスタにおけるランダム電信スイッチングの消滅【JST・京大機械翻訳】

Extinction of random telegraph switching in small area silicon metal-oxide-semiconductor transistors

著者 (5件)： Hu Gangyi (Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Shichijo Hisashi (Department of Electrical Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA) ,  Naquin Clint (Texas Instruments, Inc., Richardson, Texas 75243, USA) ,  Edwards Hal (Texas Instruments, Inc., Richardson, Texas 75243, USA) ,  Lee Mark (Department of Physics, University of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 6  ページ： 064504-064504-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小さな面積(<0.05μm~2)Si nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのドレイン-ソース電流(I_DS)において,離散雑音ゆらぎの最終的消光をもたらす低温でのスイッチング速度の遅い減衰を示すランダム電信スイッチング(RTS)雑音を観測した。RTS雑音は,二つの離散電流レベル間の電流ゆらぎにより特性化され,相対ゆらぎ振幅ΔI_DS/I_DSは2%から76%の範囲で,ゲートバイアスの有限間隔にわたって素子に依存した。RTSを示す全ての素子において,平均スイッチング速度は15Kで1~2hの時間にわたって徐々にゼロに減少し,一方,RTSは最終的に低電流状態に留まるI_DSにより停止した。スイッチング速度におけるこの減衰は,トラップ欠陥を不活性化する電荷の繰り返し捕獲と放出後にそれ自身を徐々に修復する準安定酸素空格子点欠陥に起因する可能性がある。一度,RTS雑音はバイアスと温度サイクルの後でも与えられたデバイスの如何なる測定においても再出現せず,「極低温アニール」を通してRTSの少なくともいくつかの形態を不活性化する機構を示唆した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *電信 ,  FET【トランジスタ】 ,  ゆらぎ ,  雑音 ,  *スイッチング ,  捕獲 ,  *酸化物 ,  焼なまし ,  チャネル ,  消光 ,  キャラクタリゼーション ,  *半導体 ,  バイアス ,  不活性化

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 面積 ,  シリコン ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  電信 ,  スイッチング