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J-GLOBAL ID：201802258877722472   整理番号：18A2042290

4H-SiC基板上の薄化過程後の応力緩和機構【JST・京大機械翻訳】

Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

著者 (7件)： Anzalone Ruggero (ST-Microelectronics; Stradale Primosole, 50, Catania, 95121, Italy) ,  Piluso Nicolo (ST-Microelectronics; Stradale Primosole, 50, Catania, 95121, Italy) ,  Litrico Grazia (Laboratori Nazionali del Sud; via S. Sofia, 62, Catania, 95123, Italy) ,  Lorenti Simona (ST-Microelectronics; Stradale Primosole, 50, Catania, 95121, Italy) ,  Arena Giuseppe (ST-Microelectronics; Stradale Primosole, 50, Catania, 95121, Italy) ,  Coffa Salvatore (ST-Microelectronics; Stradale Primosole, 50, Catania, 95121, Italy) ,  La Via Francesco (CNR-IMM; Strada VIII 5, Catania, 95121, Italy)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 535-538  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,後処理後の異なる6インチ4H-SiC市販基板間の比較を示した。主な比較は,150ミクロンの最終厚さを持つ試料を葉の薄化プロセス後に2つの異なる供給者間で行った。処理後,2つの基板は異なる曲率と残留応力を持つ異なる挙動を示した。X線回折は基板の異なる結晶品質と曲率値を示した。マイクロRamanは,薄化プロセスの前後に基板の異なる残留応力を示した。さらに,転位検出のための溶融KOHエッチングは,両方の基板に対して転位密度の異なる値を示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  曲率 ,  *応力緩和 ,  転位密度 ,  後処理 ,  X線回折 ,  残留応力 ,  *基板
準シソーラス用語： 炭化ケイ素基板 ,  結晶品質 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： X線検出器 ,  マイクロRaman ,  4H-SiC基板 ,  6インチ ,  KOH溶融エッチング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  過程 ,  応力緩和