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J-GLOBAL ID：201802258967177276   整理番号：18A0818719

Au支援化学エッチングにより作製したシリコンナノワイヤアレイの設計最適化と反射防止【JST・京大機械翻訳】

Design optimization and antireflection of silicon nanowire arrays fabricated by Au-assisted chemical etching

著者 (6件)： Li Bin (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of the Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronics, Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, PR China) ,  Niu Gao (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, PR China) ,  Sun Laixi (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, PR China) ,  Yao Lu (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of the Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronics, Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, PR China) ,  Wang Chaoyang (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, PR China) ,  Zhang Yafei (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of the Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronics, Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 82  ページ： 1-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノ球リソグラフィー(NSL)と金属支援化学エッチング(MACE)を組み合わせることにより,300nmから1000nmまでの間隔をもつ高度に周期的なシリコンナノワイヤ(SiNW)アレイを合成した。大面積,良く分離され,制御されたSiNWアレイを作製することが効果的であることを実証した。また,NSLプロセス中のシャドーイング効果に従って,角度堆積法により球状形状を歪ませる問題を解く簡単な方法を示した。従って,ポリスチレン(PS)球の直径を大きく減少させる必要がなく,球状形状を歪ませ,粗くすることを避ける必要がある。大面積Auメッシュは,角度蒸着法を用いてさらに最適化でき,小さなナノホール直径と比較的大きなナノホール間隔を有する。そして,マスクとして使用されるPSsの中心距離は,反応性イオンエッチング(RIE)プロセスの後,820nmと1300nmピッチで不変に保たれた。この方法により,NSLプロセス中の球面形状の歪を大幅に改善することができ,そのために,マスクとして非密充填PSsを用いて,制御された直径,長さおよび密度をもつSiNWアレイを得ることができた。さらに,MACEによって得られたSiNWアレイは,シリコン基板の反射防止特性を改善することができた。SiNWアレイの高い表面積は300~1000nmの波長範囲で反射率を10%以下にする。反射防止構造(ARS)はナノスケール光学素子の応用において非常に重要である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反射率 ,  表面積 ,  RIE【エッチング】 ,  光学素子 ,  *金 ,  *最適化 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： ナノスケール ,  反射防止構造 ,  シリコンウエハ ,  ナノホール ,  大面積 ,  *シリコンナノワイヤ ,  ナノスフィアリソグラフィー ,  *反射防止 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ケイ素ナノワイヤ ,  電着 ,  金属支援化学エッチング ,  反射防止

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Au ,  支援 ,  化学エッチング ,  作製 ,  シリコン ,  ナノワイヤアレイ ,  設計最適化 ,  反射防止