垂直及び平面両有機メモリにおける磁場に依存する,有機物支援フィラメント機構【Powered by NICT】

Zeng Qi; Qin Jiajun; Chen Xiaoqing; Hou Xiaoyuan

文献

J-GLOBAL ID：201802259021457190 整理番号：18A0135681

垂直及び平面両有機メモリにおける磁場に依存する,有機物支援フィラメント機構【Powered by NICT】

Field-dependent, organics assistant filamentary mechanism in both vertical and planar organic memories

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資料名：
巻： 53 ページ： 83-87 発行年： 2018年
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

導電性フィラメントの形成/破壊機構は抵抗メモリデバイスの挙動を理解する上で必須である。フィラメント理論に基づいて,筆者らは,平面および垂直サンドイッチ(金属/有機/金属)メモリ素子の異なる電気的性能を系統的に研究した。ギャップデバイスにおけるバイアス誘起形態変化はプローブを装備した走査電子顕微鏡システムを用いて監視した。in situ画像を直接バイアスの増大に伴って,金属クラスタはチャネル内に出現し,さらにデバイス抵抗の突然のスイッチングを生じさせることを示した。電極とサンドイッチ有機層の役割を明確化した後,抵抗メモリ現象の磁場依存フィラメント形成と有機物支援フィラメント破壊機構,一般的に金属電極を持つ全ての有機電子デバイスの存在を結論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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トランジスタ

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