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J-GLOBAL ID：201802259123752963   整理番号：18A2027654

10kV SiC MOSFETモジュールに基づく6kV Hブリッジパワーエレクトロニクスビルディングブロックの設計と試験【JST・京大機械翻訳】

Design and Testing of 6 kV H-bridge Power Electronics Building Block Based on 10 kV SiC MOSFET Module

著者 (8件)： Wang Jun (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Mocevic Slavko (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Hu Jiewen (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Xu Yue (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  DiMarino Christina (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Cvetkovic Igor (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Burgos Rolando (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Boroyevich Dushan (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IPEC Niigata 2018 -ECCE Asia  ページ： 3985-3992  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,10kV SiC MOSFET電力モジュールに基づくパワーエレクトロニクス構築ブロック(PEBB)の設計の一部を提示した。最初にHブリッジPEBBシステムアーキテクチャを導入し,次にスマートゲートドライバの設計詳細を示した。強いノイズ免疫,高い駆動電流および有効な保護回路を達成した。10kVのガルバニアイソレーションを提供しながら,ゲートドライバを供給する電源の設計も示した。ゲート駆動装置を供給するために,共振電流バス(RCB)ベースのトポロジーを提案し,アイソレーションの高密度と低入出力容量の両方を達成した。最後に,新しい層積層構造を有する10kV積層DC母線を提示した。実験結果を各セクションに埋め込み,PEBB性能を検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  共振 ,  電流 ,  位相幾何学 ,  積層構造 ,  *パワーエレクトロニクス ,  システムアーキテクチャ
準シソーラス用語： 高密度 ,  駆動装置 ,  保護回路 ,  駆動電流 ,  パワーモジュール ,  *ビルディングブロック ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  モジュール ,  設計 ,  試験