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J-GLOBAL ID：201802259131714220   整理番号：18A0930338

シリコン上のGaN HEMT用バッファ層の電気的性質に及ぼすAlN成長温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of AlN Growth Temperature on the Electrical Properties of Buffer Layers for GaN HEMTs on Silicon

著者 (8件)： Cordier Yvon (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France) ,  Comyn Remi (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France) ,  Frayssinet Eric (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France) ,  Khoury Mario (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France) ,  Khoury Mario (Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France) ,  Lesecq Marie (Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France) ,  Defrance Nicolas (Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France) ,  De Jaeger Jean-Claude (Universite de Lille, UMR 8520 - IEMN, 59000, Lille, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 9  ページ： e1700637  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より低い成長温度が高い結晶品質を達成するための欠点として一般的に考えられているにもかかわらず,シリコン上のAlNの核形成温度を下げる必要性は高い周波数で動作するGaNトランジスタに対して高い性能を実証するために分子ビームエピタクシー(MBE)を可能にした。金属-有機気相エピタクシー(MOVPE)と比較して,AlN核形成層と基板の間の界面の制御は容易であり,成長温度の低下は,良好な結晶品質を保ちながら,より電気的に抵抗性のある界面を得ることを可能にした。さらに,核形成と応力緩和層内の成長温度をさらに低下させると,横方向と垂直方向のバッファ漏れ電流に顕著な影響があることを示した。同時に,MBE成長HEMT構造のバッファは低いRF伝搬損失(70GHzまでの0.5dB mm-1以下)を示した。また,MBE AlN-on-Siテンプレート上のMOVPEにより再成長した構造で得られた結果は,熱収支がAlN/Siの抵抗率に重要であることを確認した。一方,2μm HEMT構造内の1.5μm厚Al_0.05Ga_0.95N層の挿入は,740Vまでの垂直破壊電圧を著しく改善し,類似の全厚さを持つMOVPEエピ層と比較することができた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  気相成長 ,  MOCVD ,  核形成 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  電気抵抗率 ,  MBE成長 ,  界面 ,  *バッファ層 ,  *ケイ素 ,  *HEMT ,  *電気的性質
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlN ,  絶縁破壊 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  伝搬損失 ,  シリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  GaN ,  HEMT ,  バッファ層 ,  電気的性質 ,  AlN ,  成長温度