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J-GLOBAL ID：201802259137206250   整理番号：18A1768692

MOSFET非線形ゲート-ドレインとドレイン-ソース容量を含むE級電力増幅器に対するデューティ比効果の解析と研究【JST・京大機械翻訳】

Analysis and Study of the Duty Ratio Effects on the Class-E_M Power Amplifier Including MOSFET Nonlinear Gate-to-Drain and Drain-to-Source Capacitances

著者 (4件)： Hayati Mohsen (Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, Razi University, Kermanshah, Iran) ,  Abbasi Hamed (Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, Razi University, Kermanshah, Iran) ,  Kazimierczuk Marian K. (Department of Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, OH, USA) ,  Sekiya Hiroo (Graduate School of Engineering, Chiba University, Chiba, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 33  号： 12  ページ： 10550-10562  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,クラスE_M電力増幅器に及ぼすデューティ比変動の影響を研究して,解析して,非線形ゲート-ドレインおよびドレイン-ソース寄生容量を含んだ。デューティ比は,クラスE_M電力増幅器における重要なパラメータの1つであり,スイッチ電圧と電流波形,出力電力,効率,電力損失,および出力位相シフトに及ぼす高い影響を有する。理論と実験結果の間のより良い一致を達成するために,非線形ゲート-ドレインとドレイン-ソース寄生容量を理論解析に含めた。提示した解析の妥当性を実証するために,5つのクラスE_M電力増幅器を設計し,シミュレーションし,製作し,0.5,0.6,および0.7とIRFZ24Nコケを用いて試験を行い,デューティ比が0.5に等しいことを明らかにし,非線形静電容量を考慮した場合としない場合を検討した。IRFZ24Nコケを持つ増幅器は,IRF510コケを持つ増幅器よりも高い効率を持つことを示した。これはIRFZ24Nコケの低いドレイン対ソースオン状態抵抗のためである。3.5MHzの動作周波数における非線形キャパシタンスを考慮したIRFZ24Nコケによる得られた効率は95.7%であった。0.5に等しいデューティ比でのIRF510とIRFZ24Nコケの得られた出力は,それぞれ14.41と17.82Wであった。シミュレーションと理論結果を,それぞれPSpiceとMATLABを用いて実行した。理論結果とPSpiceシミュレーションは実験結果と一致した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相シフト ,  シミュレーション ,  *増幅器 ,  電圧 ,  スイッチ ,  *MOSFET ,  *電力増幅器 ,  静電容量 ,  漂遊容量 ,  パラメータ
準シソーラス用語： PSpice ,  電力損失 ,  *デューティサイクル ,  オン状態 ,  出力電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOSFET ,  ドレイン ,  ソース ,  電力増幅器 ,  デューティ比 ,  解析 ,  研究