文献
J-GLOBAL ID:201802259205366958   整理番号:18A0424138

イオン源支援マグネトロンスパッタリングによるナノ結晶Al_2O_3膜の低温蒸着【Powered by NICT】

Low-temperature deposition of nanocrystalline Al2O3 films by ion source-assisted magnetron sputtering
著者 (7件):
資料名:
巻: 149  ページ: 284-290  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文では,イオン源支援蒸着法によるバイポーラパルス反応性マグネトロンスパッタリングをシリコン(111)ウエハ上に300~°Cの温度でのナノ結晶アルミナ(Al_2O_3)膜と超硬合金基板の蒸着に利用した。イオン源電力,すなわちAl_2O_3膜の構造,形態,圧縮応力および機械的性質に及ぼす0、1.0、1.5および2.0kWの影響を調べた。イオン源パワーアシストが存在しない場合,非晶質Al_2O_3膜は300°Cの蒸着温度で支配的であった。イオン源支援蒸着により,結晶γAl_2O_3膜は同じ条件で得られた,マグネトロンスパッタリング蒸着法から得られた金属酸化物膜の結晶度発達におけるイオン源電力の重要性を示唆した。表面形態の画像は,イオン源パワーなしで調製された膜表面の粒径の違いを明確に示した。から1.0~2.0kWイオンソース電力の増加に伴い,膜の微小硬さと圧縮応力は7GPaから13GPaと0.3GPaに増加し1.1GPaであった。結果はイオン源支援蒸着を用いた反応性マグネトロンスパッタリングは,低温でのナノ結晶γAl_2O_3膜を調製する簡単で効果的な方法であることを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の薄膜  ,  酸化物薄膜 

前のページに戻る