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J-GLOBAL ID：201802259375403444   整理番号：18A0618036

非クランプ型誘導性スイッチストレス下の大電流を有するスプリットゲートトレンチMOSFETのための新しい故障機構と改善【Powered by NICT】

Novel failure mechanism and improvement for split-gate trench MOSFET with large current under unclamped inductive switch stress

著者 (9件)： Tian Ye (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Yang Zhuo (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Xu Zhiyuan (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Shi Longxing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhu Yuanzheng (WUXI NCE Power CO., LTD., Wuxi, China) ,  Ye Peng (WUXI NCE Power CO., LTD., Wuxi, China) ,  Zhou Jincheng (WUXI NCE Power CO., LTD., Wuxi, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 116  ページ： 151-163  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,大電流分割ゲートトレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のための非クランプ誘導スイッチ(UIS)の下,新奇な破壊機構を調べた。デバイス試料を詳細に試験し,解析した。シミュレーション結果は源ポリの不均一電位分布が破壊の原因であることを示した。三つの構造はTCADシミュレーションによるデバイスUIS耐久性を改良するために使用できる提案し検証した。フィールド酸化膜における接触を通る源ポリに挿入源金属とデバイス構造の最良のものを行い,測定した。結果は,最適化した構造はUIS耐久性及び静的特性の間のトレードオフをバランスさせることができることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *MOSFET ,  静特性 ,  耐久性 ,  酸化膜 ,  *スイッチ ,  *クランプ ,  電位分布 ,  素子構造 ,  最適化
準シソーラス用語： TCAD ,  *トレンチ ,  *スプリットゲート ,  *故障メカニズム ,  *大電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： クランプ ,  ストレス ,  大電流 ,  MOSFET ,  故障