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J-GLOBAL ID：201802259566055834   整理番号：18A0195712

スイッチング層工学に基づくrFPGA応用のための高Roff/Ron比とフォーミングフリーRRAMを示す【Powered by NICT】

Demonstrate high Roff/Ron ratio and forming-free RRAM for rFPGA application based on switching layer engineering

著者 (5件)： Dong Wenfeng (College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Liu Dong (Polytechnic Institute, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Xu Shun (College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Chen Bing (College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Zhao Yi (College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ASICON  ページ： 851-854  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)における再構成可能アーキテクチャの適用は,学術的および工業的により大きな関心を扱われてきた。しかし,接続ブロックにおける回路ルーティング構成のための不揮発性デバイスを作製するまだ大きな難問である。本論文では,高抵抗R_ON/R_OFF比(~10~6)フォーミングフリーRRAM技術を接続する再構成可能な回路のために開発した。スイッチング層工学Pd/Al_2O_3/HfO_2/NiO_x/Ni構造を実証したRRAMは,優れた性能を示し,低変動,良好な保持(>10years@85°C)と大きな駆動電流(>1mA)である。さらに,対応するスイッチング機構と材料工学とデバイス構造最適化によるRRAMの抵抗R_ON/R_OFF比を改善する方法についても考察した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  経路選定 ,  素子構造 ,  *スイッチング ,  材料科学 ,  非揮発性 ,  *FPGA
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  再構成可能性 ,  リコンフィギャラブルアーキテクチャ ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング ,  工学 ,  応用 ,  フォーミング ,  RRAM