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J-GLOBAL ID：201802259849046522   整理番号：18A0446796

誘電体信頼性とRRAM応用(招待論文)のための既存のモデルと将来の解決法の基本的限界【Powered by NICT】

Fundamental limitations of existing models and future solutions for dielectric reliability and RRAM applications (invited)

著者 (10件)： Wu E. (Essex Junction, VT, USA) ,  Kim A. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Ando T. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Muralidhar R. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Li B. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Southwick R. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Jamison P. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Shaw T. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Stathis J. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY) ,  Bonilla G. (IBM Research Div. Yorktown Height, NY)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 21.5.1-21.5.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの重要なエンジンは,誘電体の信頼性評価と予測方法論の中心である:データパラメータ抽出と信頼性の予測のための統計的分布モデルと場/電圧加速モデル。Weibull/Poissonモデルと一定電場加速Eモデルは事実上理想的な状況に有用であるが,新しい応用と実験上の発見は,これら数10年前モデルの基本的限界に挑戦し,曝露した。時間依存クラスタリングモデルとべき乗則場/電圧モデルは,RRAMのリセット/セット統計へのBEOL/MOLとFEOL例における絶縁破壊(BD)統計の広い範囲の応用におけるこれらの新しい課題に適合する有望な解決策として浮上してきた。原子論的シミュレーションと微視的モデル化における最近の進歩は,場/電圧加速モデルの正しい選択をするための新たな洞察を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *信頼性 ,  予測技法 ,  時間依存性 ,  *モデル ,  *誘電体 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： 原子論的シミュレーション ,  FEOL ,  BEOL ,  べき乗則 ,  統計分布 ,  パラメータ抽出 ,  信頼性評価 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  信頼性  (KB04040H) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘電体 ,  RRAM ,  応用 ,  論文 ,  モデル ,  将来 ,  解決法 ,  限界