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J-GLOBAL ID：201802259936232110   整理番号：18A0401460

二重ゲート衝突イオン化MOSトランジスタ:提案と調査【Powered by NICT】

Double gate impact ionization MOS transistor: Proposal and investigation

著者 (4件)： Yang Zhaonian (School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China) ,  Zhang Yue (School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China) ,  Yang Yuan (School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China) ,  Yu Ningmei (School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an, 710048, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 102  ページ： 477-483  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,改良された性能を有する二重ゲート衝突イオン化MOS(DG IMOS)トランジスタを提案し,研究TCADシミュレーションである。提案した設計では,第二ゲートを等価チャネル長を長くするとバンド間トンネリングを抑制することを従来の衝突イオン化MOS(IMOS)トランジスタに導入した。オフ状態漏れ電流は四桁以上減少した。オン状態では,真性領域に電場を強化するために第二ゲートを負にバイアスした。その結果,動作電圧はチャネル長の増加と共に増加しなかった。シミュレーション結果は,提案したDG IMOSは従来が達成されるよりも優れたスイッチング特性を達成することを検証した。最後に,DG IMOSの応用を理論的に議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  電場 ,  *衝突イオン化 ,  シミュレーション ,  *トランジスタ ,  *MOSFET
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  動作電圧 ,  オン状態 ,  オフ状態 ,  バンド間トンネリング ,  チャネル長 ,  TCAD ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： band-to-bandトンネル(BTBT) ,  二重ゲート ,  衝突イオン化 ,  IMOS ,  漏れ電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重ゲート ,  衝突イオン化 ,  MOSトランジスタ ,  提案 ,  調査