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J-GLOBAL ID：201802260191443854   整理番号：18A0385052

65nm MOSFETにおけるSiO_2/Si界面とゲート絶縁体の高フルエンス高速重イオン構造改質【Powered by NICT】

High fluence swift heavy ion structure modification of the SiO₂/Si interface and gate insulator in 65nm MOSFETs

著者 (16件)： Ma Yao (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Ma Yao (Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Ma Yao (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Gao Bo (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Gao Bo (Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Gao Bo (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Gong Min (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Gong Min (Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Gong Min (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Willis Maureen (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Yang Zhimei (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Yang Zhimei (Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Guan Mingyue (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Li Yun (Key Laboratory of Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Li Yun (Key Lab of Microelectronics Sichuan Province, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Li Yun (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 396  ページ： 56-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,市販の65nm MOSFETにおけるSiO_2/Si構造とゲート酸化物界面の構造修飾,高フルエンス高速重イオン照射により誘起された,の研究を行った。本研究で鍵と新奇な点は典型的に構造の変化を観察するために試料の化学エッチング後に施行した従来の原子間力顕微鏡(A FM)や走査型電子顕微鏡(SEM)技術の代わりに透過型電子顕微鏡(TEM)技術の特異的使用である。この方法を用いて,照射後,SiO_2とSiとの間の明瞭な可視薄層の出現は,二つの材料の界面でTEM強度の変化として現れる観察されることを示した。EDXラインスキャンを測定することにより,Si:O比は変化し,Si-O結合は高速重イオンによって破壊された後のこの変化はSiに対する界面の移動に起因することを明らかにした。65nm MOSFET試料では,シリコン基板,SiON絶縁体とポリシリコンゲート界面は同じ照射条件下で不鮮明になった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  *フルエンス ,  *ケイ素 ,  *界面 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *MOSFET ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  *絶縁体 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  高速重イオン照射 ,  ゲート酸化膜 ,  *高速重イオン ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高速重イオン ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  酸化けい素 ,  放射線損傷 ,  高フルエンス

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOSFET ,  Si ,  界面 ,  ゲート絶縁体 ,  フルエンス ,  高速重イオン ,  改質