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J-GLOBAL ID：201802260222451302   整理番号：18A1044954

パワー半導体用成形材料の最新開発【JST・京大機械翻訳】

Latest developments of molding compound material for power semiconductors

著者 (2件)： Tanaka Yusuke (Sumitomo Bakelite (Suzhou) Co., Ltd., Suzhou, China) ,  Watanabe Itaru (Sumitomo Bakelite (Suzhou) Co., Ltd., Suzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 「低炭素社会」の実現に向けて,電力半導体はエネルギーを効果的に利用するために極めて重要になっている。近年,SiC(炭化ケイ素)とGaN(ガリウム窒化物)の応用が,次世代半導体素子として活発に研究されており,SiCやGaNのパワーデバイスには,エポキシモールド化合物(EMC)の耐熱性が要求されている。今回,高Tgと高耐熱性の両方を達成できる剛体ビフェニレン分子構造に基づく新しいタイプの樹脂構造を見出し,熱膨張(CTE)のEMC係数もパワーモジュールパッケージの信頼性と反り性能の重要な因子である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 剛体 ,  半導体素子 ,  *半導体 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  *電力トランジスタ ,  耐熱性 ,  信頼性 ,  電力 ,  熱膨張 ,  分子構造 ,  脂環式化合物 ,  ジエン ,  芳香族縮合炭化水素
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  低炭素社会 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ビフェニレン

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー半導体 ,  成形材料 ,  開発