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J-GLOBAL ID：201802260240864841   整理番号：18A0195538

CMOSコンパチブル製造プロセスを用いたTaN薄膜抵抗器の開発と特性化【Powered by NICT】

Development and characterization of TaN thin film resistor with CMOS compatible fabrication process

著者 (12件)： Kang Xiaoxu (Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China) ,  Zhu Limin (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Zhu Xingwang (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Zuo Qingyun (Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China) ,  Zhong Xiaolan (Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China) ,  Chen Shoumian (Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China) ,  Zhao Yuhang (Process Technology Department, Shanghai IC R&D Center, Shanghai, 201210, China) ,  Liu Shanshan (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Lu Hanwei (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Wang Jianmin (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Wang Wei (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Zhang Bo (PIE Department III, Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ASICON  ページ： 160-162  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコンは標準CMOS技術における抵抗器デバイスのための一般的に使用される材料である。プロセス制限のために,ポリシリコン抵抗器は高抵抗変化及び高い抵抗温度係数(TCR)の問題であり,それは,アナログ回路設計における性能劣化を引き起こす可能性を持っている。本研究では,高比抵抗TaN金属膜を開発し,集積した薄いTaN金属抵抗器構造,200mmウエハCMOS Cu BEOL上に作製したであった。金属抵抗性能をCMOS抵抗デバイス応用におけるその潜在的価値を確認するために評価した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *生産工程 ,  *キャラクタリゼーション ,  ポリシリコン ,  電気抵抗率 ,  金属薄膜 ,  *CMOS ,  *抵抗器 ,  *薄膜抵抗器
準シソーラス用語： BEOL ,  性能劣化 ,  抵抗温度係数 ,  抵抗変化 ,  CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  製造プロセス ,  薄膜抵抗器 ,  開発 ,  特性化