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J-GLOBAL ID：201802260430916087   整理番号：18A1488436

SIPOSピラーを用いた新しいパワーU-MOSFET【JST・京大機械翻訳】

Novel power U-MOSFET with SIPOS pillars

著者 (7件)： Cao Zhen (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Duan Baoxing (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Guo Haijun (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Song Haitao (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Dong Ziming (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Shi Tongtong (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Yang Yintang (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 87  ページ： 86-91  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,半絶縁極性結晶シリコンピラー(SIPOS)を用いた新しい垂直U-MOSFETを示した。提案したSIPOS UMOSは,デバイスの絶縁破壊電圧(BV)と特定オン抵抗(R_on,sp)の間のトレードオフを改善するために,多くのキャリア蓄積と電場変調の2つの利点を組み合わせた。オフ状態において,SIPOSピラーの再成形効果は,垂直電場強度を強化し,ゲートトレンチの底部におけるピーク電場を弱め,それによりBVを増加させる。加えて,SIPOSピラーによる増強された枯渇のために,SIPOS UMOSに対して高度にドープされたNドリフトが可能になり,低いR_on,spをもたらす。オン状態において,R_on,spはドリフト領域で形成された大部分のキャリア蓄積層によってさらに減少した。TCADシミュレーションにより得られた結果は,SIPOS UMOSのBVが,同じドリフト長において,SIPOSピラー無しの従来のスーパージャンクションUMOSおよびUMOSと比較して,それぞれ,12.5%および36.2%増加することを示した。さらに,SIPOS UMOSのR_on,spは,それぞれ31.3%と85.8%減少した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドリフト ,  電界強度 ,  電場 ,  *MOSFET ,  ドーピング ,  シミュレーション ,  極性
準シソーラス用語： TCAD ,  オン状態 ,  トレンチ ,  オフ状態 ,  キャリア蓄積 ,  固有オン抵抗 ,  絶縁破壊電圧 ,  半絶縁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： パワーMOSFET ,  SIPOS ,  電場変調 ,  破壊電圧 ,  多数キャリア蓄積

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ピラー ,  パワー ,  MOSFET