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J-GLOBAL ID：201802260588473339   整理番号：18A0973523

リセスアレイOhm接触技術により作製した高RF性能AlGaN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】

High RF Performance AlGaN/GaN HEMT Fabricated by Recess-Arrayed Ohmic Contact Technology

著者 (9件)： Lu Yang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Ma Xiaohua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Yang Ling (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hou Bin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Mi Minhan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Meng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zheng Jiaxin (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang Hengshuang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 6  ページ： 811-814  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,再配列したOhm接触技術により作製した高性能ゲート凹型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を示した。Ti/Al/Ni/Au金属堆積と急速アニーリングを用いて,Ohm領域で正方形柱のアレイをエッチングし,低抵抗オーム接触を作製した。伝送線路法測定を用いて,0.12Ωmmのオーム接触抵抗(R_c)を測定した。それは参照装置のものより70%低い。パターン化Ohm接触HEMT(POC HEMT)は,V_ds=10VおよびV_gs=1Vにおいて1130mA/mmの飽和電流を示し,6Vから3Vへの膝電圧のシフトを伴った。RF測定は,5GHzで71.6%の電力付加効率(PAE)を示した。第三高調波同調の後,85.2%のPAEと11.2W/mmの対応する電力密度と16.9dBの電力利得を得た。得られた結果によると,再配列したOhm接触処理したGaN HEMTは,高いRF効率と電力応用に対して大きな可能性を有している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 同調 ,  電圧 ,  凹形 ,  パターン形成 ,  伝送線路 ,  アルミニウム ,  高速度 ,  電力付加効率 ,  *HEMT ,  *Ohm接触 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  電力密度 ,  飽和電流 ,  再配列 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ohm接触 ,  作製 ,  RF ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT