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J-GLOBAL ID：201802260664270154   整理番号：18A1000622

非平衡トレンチMOS障壁Schottkyダイオードの電流電圧特性の特徴【JST・京大機械翻訳】

Features of current-voltage characteristic of nonequilibrium trench MOS barrier Schottky diode

著者 (2件)： Mamedov R.K. (The Baku State University, Az 1148, Baku, Azerbaijan) ,  Aslanova A.R. (The Baku State University, Az 1148, Baku, Azerbaijan)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 118  ページ： 298-307  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の近接触領域に現れる付加的電場(AEF)の電圧降下の影響下でのトレンチMOS障壁Schottkyダイオード(TMBSダイオード)は,外部電圧の不在下で非平衡状態で,それらの閉じた外部回路は電流を流れる。TMBSダイオードに外部電圧を印加すると,電流透過は特定の特徴をもつ熱電子放出理論によって記述される。TMBSダイオードの順方向と逆方向のI-V特性は二つの部分から成る。順方向I-V特性の初期第1部では順方向電流は存在しないが,逆飽和電流は電流が電圧とともに指数関数的に増加する。逆I-V特性の最初の部分では,電流は急激な方法で増加し,その後の第二の部分では,画像力の作用下で飽和電流が流れる。TMBSダイオードと狭いまたはナノ構造のSchottkyダイオードの順方向と逆方向のI-V特性に対する数学的表現を提案し,実験結果と計算したI-V特性の結果と良く一致した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱電子放出 ,  電場 ,  半導体 ,  *ダイオード ,  指数関数 ,  *電流 ,  *電圧 ,  画像 ,  電圧降下 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  ナノ構造 ,  *非平衡状態 ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： TMBSダイオード ,  金属-半導体接触 ,  Schottkyダイオード ,  付加電場 ,  非平衡SD ,  パワーダイオード

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非平衡 ,  トレンチ ,  MOS ,  障壁 ,  Schottkyダイオード ,  電流電圧特性