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J-GLOBAL ID：201802261253620892   整理番号：18A0159685

Co_2FeAl_0 5Si_0 5/n-GaAs接合の界面結晶構造と非局所スピン信号【Powered by NICT】

Interfacial Crystal Structures and Non-Local Spin Signals of Co₂FeAl_0.5Si_0.5/n-GaAs Junctions

著者 (5件)： Kataoka Kohei (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Saito Tatsuya (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Tezuka Nobuki (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Matsuura Masashi (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sugimoto Satoshi (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 54  号： 1  ページ： ROMBUNNO.4400103.1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Co_2FeAl_0 5Si_0(CFAS)/n-GaAs接合の界面結晶構造と非局所スピン信号ΔRを調べた。断面透過型電子顕微鏡観察から,400°Cで堆積した試料のCFASへのGa拡散を除いて,界面での接合と欠陥密度の界面構造は基板の異なるCFAS作製温度(T_CFAS)に対して非常に差がなかったことを示した。得られた反射高エネルギー電子回折パターンは,室温から400°Cまで変化するT_CFASで作製した全ての試料はCFAS/n GaAs接合の近傍におけるL2_1規則構造を示すことが分かった。伝導率G(0.5V)/G( 0.5V)によって示されるように大きな整流特性を持つ接合は,より大きなスピン信号ΔRを示すことが分かった。これはスピン注入/検出効率に強く影響する可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： RHEED ,  *ガリウム ,  欠陥密度 ,  *結晶構造 ,  整流 ,  *ヒ化ガリウム ,  *接合 ,  *界面 ,  検出効率
準シソーラス用語： スピン注入 ,  伝導率 ,  規則構造 ,  界面構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  界面 ,  結晶構造 ,  スピン