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J-GLOBAL ID：201802261438265104   整理番号：18A0438763

インジウム ガリウムのフッ素化と酸化に関する比較研究 亜鉛酸化物薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Lu Lei (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Hong Kong) ,  Xia Zhihe (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Li Jiapeng (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Feng Zhuoqun (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Wang Sisi (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Kwok Hoi Sing (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Hong Kong) ,  Wong Man (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 2  ページ： 196-199  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化と酸化の両方はインジウム-gallium-亜鉛オキシド薄膜トランジスタ中の欠陥を不動態化するために用い,増強されたデバイス特性を導いた。は前者は後者よりも効果的である,より短い処理時間(それ故改善された生産効率),還元初期欠陥数(従って,増強されたスケーラビリティ)をもたらし,プロセス応力誘起欠陥発生(従って改善信頼性)に対してよりロバスト性が必要とされることが報告されている。ふっ素ドライブイン熱処理は,酸化雰囲気で実施された最良であることを決定した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ガリウム ,  *フッ素 ,  *酸化亜鉛 ,  加工時間 ,  信頼性 ,  不動態化 ,  *インジウム ,  *酸化物 ,  *フッ素化 ,  熱処理 ,  *薄膜トランジスタ ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 酸化雰囲気 ,  生産効率 ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： インジウム ,  ガリウム ,  フッ素 ,  酸化 ,  研究 ,  亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ