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J-GLOBAL ID：201802261451569618   整理番号：18A0968912

K_0.5Na_0.5NbO_3薄膜の相転移と圧電応答に及ぼす歪,温度,電場の影響【JST・京大機械翻訳】

Strain, temperature, and electric-field effects on the phase transition and piezoelectric responses of K_0.5Na_0.5NbO₃ thin films

著者 (4件)： Zhou Meng-Jun (School of Materials Science and Engineering, State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Jian-Jun (Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Chen Long-Qing (School of Materials Science and Engineering, State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Nan Ce-Wen (School of Materials Science and Engineering, State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 15  ページ： 154106-154106-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KNbO_3ベースの固溶体システムは,良好な電気機械的性能を有する環境に優しい。本研究では,K_0.5Na_0.5NbO_3薄膜に対するミスフィット歪-歪および温度-歪相図を確立し,種々の歪,温度および電場下でのK_0.5Na_0.5NbO_3薄膜の分極スイッチング,相転移および圧電応答を計算した。結果は,圧電係数d_33が相境界の近くで強化できることを示した。非ゼロ面外分極成分を有する強誘電相に対して,最適電場をd_33を最大化するために同定した。それは薄膜圧電マイクロ電気機械システム,超音波医用画像変換器,およびエネルギー収穫のような応用において望ましい。本結果は,K_xNa_1-_xNbO_3薄膜の将来の実験研究と強誘電体薄膜ベースのデバイスの最適化のための指針を提供すると期待される。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電場 ,  状態図 ,  *相転移 ,  *薄膜 ,  変換器 ,  固溶体 ,  分極 ,  *圧電気 ,  最適化 ,  医用画像 ,  相境界 ,  分極反転
準シソーラス用語： エネルギーハーベスティング ,  圧電定数 ,  *圧電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  相転移 ,  圧電応答 ,  歪 ,  電場