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J-GLOBAL ID：201802261568031816   整理番号：18A0722136

プラズマ形成概念を用いたドープTFETの性能改善【JST・京大機械翻訳】

Performance improvement of doped TFET by using plasma formation concept

著者 (5件)： Soni Deepak (Nanoelectronics and VLSI Lab., Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Sharma Dheeraj (Nanoelectronics and VLSI Lab., Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Yadav Shivendra (Nanoelectronics and VLSI Lab., Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Aslam Mohd. (Nanoelectronics and VLSI Lab., Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, 482005, India) ,  Sharma Neeraj (Department of Computer Engineering, Ramrao Adik Institute of Technology, Nerul, Navi, Mumbai, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 113  ページ： 97-109  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールトンネル電界効果トランジスタ(TFET)のトンネリング接合における急激なドーピングプロファイルの形成は,改善された電気的挙動を達成するための重要な課題である。物理的にドープしたTFETの場合,材料の溶解度限界により,急激なドーピングプロフィルの実現はより困難である。この問題において,TFETの新しい設計を提案した。このために,P+(ソース)-I(チャネル)-N(ドレイン)型構造を考慮し,金属電極をソース領域上に堆積した。これに加えて,負電圧をソース電極(SE)に適用した。それはソース領域におけるホールの表面プラズマ層を誘発し,ソース/チャネル接合におけるバンドの急峻さの原因となり,物理的不純物の添加なしにソース領域におけるより高いドーピングの利点を提供する。提案した修正はソース/チャネル界面における急峻なバンド曲がりを達成するのに役立ち,この界面における電荷キャリアの高いトンネリング発生速度を可能にし,低いON状態電流の問題を克服する。したがって,提案したデバイスは,従来のデバイスと比較して,ドレイン電流の20年の増加と閾値電圧の252mVの減少を示した。ソース/ゲート(L_SG)とソース電極上の印加負電圧(V_pg)の間のスペーサ長(L_SG)の最適化を,最適ドレイン電流と閾値電圧(Vth)を得るために実行した。さらに,両極性電流の抑制のために,ドレイン領域は軽くドープされ,それはOff状態電流のレベルまで両極性電流を減少させる。さらに,提案したデバイスにおいて,ゲート電極はRF性能を改善するために劣っている。それはまた,ゲートをドレイン容量(C_gd)に減少させ,カットオフ周波数(f_T),f_max,GBP,TFPを増加させる。これらに加えて,線形性解析を行い,素子の適用性を検証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  電流 ,  接合 ,  界面 ,  トンネル効果 ,  スペーサ ,  線形性 ,  *プラズマ ,  *ドーピング ,  最適化
準シソーラス用語： 両極性 ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  電荷キャリア ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 両極性伝導 ,  バンドからバンドへのトンネリング ,  材料溶解度 ,  表面プラズマ形成 ,  しきい値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  概念 ,  ドープ ,  TFET ,  性能改善