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J-GLOBAL ID：201802261787006564   整理番号：18A0714277

異なるアニーリング領域後のフェムト秒レーザ硫黄ハイパードープシリコン太陽電池の量子効率【JST・京大機械翻訳】

Quantum efficiency of femtosecond-laser sulfur hyperdoped silicon solar cells after different annealing regimes

著者 (5件)： Gimpel T. (Energie-Forschungszentrum, Clausthal University of Technology, Am Stollen 19 A, 38640 Goslar, Germany) ,  Winter S. (Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig, Germany) ,  Bossmeyer M. (Fraunhofer Heinrich Hertz Institute (HHI), Am Stollen 19 H, 38640 Goslar, Germany) ,  Schade W. (Energie-Forschungszentrum, Clausthal University of Technology, Am Stollen 19 A, 38640 Goslar, Germany) ,  Schade W. (Fraunhofer Heinrich Hertz Institute (HHI), Am Stollen 19 H, 38640 Goslar, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 180  ページ： 168-172  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300から2500nmまでのスペクトル範囲において,フェムト秒レーザ,硫黄ハイパードープシリコン太陽電池において,アニーリング依存吸収と量子効率スペクトルを決定した。T=1250°Cでのアニーリング後に急速にクエンチされた試料は,最高のサブバンドギャップ吸収を特徴としないが,最高サブバンドギャップ量子効率は,非アニール試料と同じレベルで測定され,最高サブバンドギャップ吸収を特徴とした。測定した量子効率スペクトルを説明するために,アニーリング依存吸収に関する発見を行った。サブバンドギャップスペクトル範囲では,深い硫黄中心が,より高い温度でのアニーリングから,好ましく急速なクエンチングで得られるとき,より効率的である。これらのアニーリング領域に対して,上記バンドギャップ量子効率は減少し,これは浅い硫黄ドナーに起因する。より低い温度または遅い冷却速度は浅いドナーをもたらし,バンドギャップ以上のスペクトル範囲でより効率的な変換を特徴とする。これは深い硫黄中心と対応するサブバンドギャップ変換能力を犠牲にしている。その結果,主な吸収はレーザ誘起硫黄エミッタ層のみで起こると結論した。さらに,イオン注入とそれに続くパルスレーザ融解により調製した硫黄ハイパードープシリコンについて,ある程度予測を提案し,融液からの急速冷却を特徴とした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フェムト秒レーザ ,  *量子効率 ,  バンドギャップ ,  *焼なまし ,  ドナー ,  高速度 ,  高速冷却 ,  *硫黄 ,  レーザ融解 ,  パルス ,  クエンチ ,  冷却速度 ,  イオン注入
準シソーラス用語： サブバンドギャップ ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： フェムト秒レーザ構造化 ,  ハイパードープシリコン ,  サブバンドギャップ量子効率 ,  中間バンド太陽光発電 ,  微分スペクトル応答性 ,  異なる焼なましと冷却後の材料欠陥

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： アニーリング ,  フェムト秒レーザ ,  硫黄 ,  太陽電池 ,  量子効率