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J-GLOBAL ID：201802261821321291   整理番号：18A0967990

規則化InAs/GaAs(001)量子ドット成長のためのその場レーザナノパターニング【JST・京大機械翻訳】

In-situ laser nano-patterning for ordered InAs/GaAs(001) quantum dot growth

著者 (9件)： Zhang Wei (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Shi Zhenwu (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Huo Dayun (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Guo Xiaoxiang (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Zhang Feng (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Chen Linsen (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Wang Qinhua (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China) ,  Zhang Baoshun (Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics, Chinese Academy of Science, Suzhou 215123, China) ,  Peng Changsi (College of Physics, Optoelectronics and Energy & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 15  ページ： 153108-153108-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaAs(001)量子ドット分子線エピタクシー成長の間,InGaAs濡れ層上のその場レーザ干渉ナノパターン形成の研究を行った。数原子層の高さをもつ周期的ナノ島を,0.9単分子層のInAs被覆率におけるInGaAs濡れ層上の4ビームレーザ干渉照射により得た。量子ドットは,パターン化表面上へのInAsのその後の堆積により,ナノ島のエッジで優先的に核形成した。ナノ島が十分小さいとき,パターン化基板は自然に再平坦化され,秩序化量子ドットアレイが滑らかな表面上に生成された。本稿では,ナノパターン形成と秩序化量子ドット核形成の機構を詳細に検討した。本研究は,サイト制御,高品質量子ドット作製に導く可能性のある技術を提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆率 ,  パターン形成 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  核形成 ,  *量子ドット ,  単分子層 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  MBE成長
準シソーラス用語： 量子ドットアレイ ,  平坦化 ,  ナノアイランド ,  *ナノパターニング ,  レーザ干渉 ,  濡れ層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 規則化 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  成長 ,  レーザ ,  ナノパターニング