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J-GLOBAL ID：201802261822111275   整理番号：18A0706609

a-IGZO TFTの性能に及ぼすCu電極の障壁層としてのITOの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of ITO Serving as a Barrier Layer for Cu Electrodes on Performance of a-IGZO TFT
著者 (10件)：
Hu Shiben

Hu Shiben について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Lu Kuankuan

Lu Kuankuan について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Ning Honglong

Ning Honglong について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Fang Zhiqiang

Fang Zhiqiang について

(State Key Laboratory of Pulp and Paper Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Pulp and Paper Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Liu Xianzhe

Liu Xianzhe について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Xie Weiguang

Xie Weiguang について

(Department of Physics and Department of Electronic Engineering, Siyuan Laboratory, Guangzhou Key Laboratory of Vacuum Coating Technologies and New Energy Materials, Jinan University, Guangzhou, China)

Department of Physics and Department of Electronic Engineering, Siyuan Laboratory, Guangzhou Key Laboratory of Vacuum Coating Technologies and New Energy Materials, Jinan University, Guangzhou, China について

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Yao Rihui

Yao Rihui について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Zou Jianhua

Zou Jianhua について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Xu Miao

Xu Miao について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について

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Peng Junbiao

Peng Junbiao について

(State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China)

State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou, China について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 39  号： 4  ページ： 504-507  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本論文では,Cuマイグレーションを抑制するために,IGZO層の上部に30nm厚のIn-Sn-O(ITO)中間層を堆積することにより,銅(Cu)電極を有する非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気性能を改善する戦略を提案した。結果として,ITO中間層を有するa-IGZO TFTは,強化された電気性能(1.5VのV_TH,11.5cm2/Vsのμ_FE,0.2V/decのSS,2.4×1010のI_ON/I_OFF,およびR_CW:18cm)を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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薄膜トランジスタ

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電気特性

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*銅

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非晶質

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準シソーラス用語：
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中間層

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*バリア層

バリア層 について

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*酸化インジウム・ガリウム・亜鉛

酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 について

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (5件)：
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TFT

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Cu

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障壁層

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