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J-GLOBAL ID：201802261899556482   整理番号：18A0969814

第一原理からのCVDの初期段階におけるMOS_2層の垂直成長【JST・京大機械翻訳】

The vertical growth of MoS₂ layers at the initial stage of CVD from first-principles

著者 (4件)： Xue Xiong-Xiong (School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Feng Yexin (School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Chen Keqiu (School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Zhang Lixin (School of Physics, Nankai University, Tianjin 300071, China)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 148  号： 13  ページ： 134704-134704-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)は遷移金属二カルコゲン化物(TMD)層の大量生産のための非常に優先的な方法であるが,原子スケールの知識は核形成と成長についてまだ不足している。本研究において,第一原理計算を用いて,Au(111)表面上で,一次元(1D)Mo_xS_y鎖が最初に小さな供給種の合体により形成され,核形成の初期段階でエネルギー的に有利になることを示した。二次元(2D)層はMo原子数が約12を超えると安定化できる。垂直成長モードを明らかにし,成長中のクラスタに対する1D鎖から2D層への構造変換を達成した。層内と層間相互作用の間の競合が重要である。これらの知見は,表面上のTMDの核形成と成長の原子論的機構をより良く理解するための新しい洞察として役立つ。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *第一原理 ,  核形成 ,  大量生産 ,  化学蒸着 ,  二次元 ,  モリブデン ,  クラスタ ,  一次元
準シソーラス用語： 層間相互作用 ,  成長モード ,  原子数 ,  第一原理計算 ,  原子スケール ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  結晶成長一般  (BK13010Q) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理 ,  CVD ,  初期段階 ,  垂直 ,  成長