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J-GLOBAL ID：201802261941203549   整理番号：18A0438765

ソース/ドレインオフセットのa-IGZO TFTの性能に及ぼす引張応力の影響【Powered by NICT】

Tensile Stress Effect on Performance of a-IGZO TFTs With Source/Drain Offsets

著者 (3件)： Hasan Mehedi (Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, 1South Korea) ,  Billah Mohammad Masum (Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, 1South Korea) ,  Jang Jin (Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, 1South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 2  ページ： 204-207  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース/ドレインオフセットを有する非晶質インジウム-ガリウム-酸化亜鉛(a IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性能に及ぼす繰返し引張曲げ応力の影響を報告した。引張歪は従来のTFTの負移動シフトを誘導するが,ON電流(I_ON)は,しきい値電圧(V_TH)の変化を無視してオフセットTFTで有意に増加した。実験結果はa-IGZO半導体の変角領域でドナー様状態の生成による技術計算機支援設計シミュレーションと良く適合させることができる。劣化したTFT性能は1時間の250°Cでの熱アニーリングにより回復し,ドナー様準安定欠陥,酸素空格子点の生成を確認することができた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *引張応力 ,  酸化亜鉛 ,  電流 ,  *オフセット ,  曲げ応力 ,  *引張 ,  非晶質 ,  ドナー ,  薄膜トランジスタ ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  熱アニーリング ,  閾値電圧 ,  引張歪 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ソース ,  IGZO ,  TFT ,  引張応力