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J-GLOBAL ID：201802261952649208   整理番号：18A0403809

GaAs/AlGaAs量子井戸構造におけるサブバンド間光学遷移に及ぼす薄いAlAs層挿入の影響【Powered by NICT】

Influence of thin AlAs layer insertion on intersubband optical transitions in GaAs/AlGaAs quantum- well structures

著者 (3件)： Liu Dongfeng (School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China) ,  Wang Everett X. (School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, PR China) ,  Guo Kangxian (Department of Physics, College of Physics and Electrical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 86  ページ： 64-67  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaAs/AlGaAs量子井戸(QW)構造に薄いAlAs層の挿入と中赤外の周波数範囲におけるエネルギー転移におけるその影響を実証した。より正確な計算を実現するために,量子井戸構造の傾斜界面モデルは,量子井戸のエネルギー準位と包絡線波動関数を得るために,Schroedinger方程式とPoisson方程式の自己無撞着解に統合した。井戸中の様々な位置に挿入された薄いAlAs層はサブバンド間光学遷移を明らかに調整ことを見出した。対応する同調範囲は50meVであることができる。厚いAlAs層(2単分子層)はサブバンド1と3の間の広い同調範囲と大きな振動子強度を提供し,薄い(1単分子層)と比較できることを見出した。著者らの結果は,薄い半導体層を中赤外レーザによる光ポンピングに基づく量子テラヘルツ井戸レーザの最適化設計であるかもしれないことを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  レーザ ,  Poisson方程式 ,  エネルギー移動 ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウム ,  波動関数 ,  光ポンピング ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  Schroedinger方程式 ,  *ヒ化アルミニウム ,  テラヘルツ波 ,  赤外線
準シソーラス用語： *光学遷移 ,  *サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  サブバンド ,  光学遷移 ,  AlAs