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J-GLOBAL ID：201802261953112606   整理番号：18A0588543

FDSOIウエハ上の捕捉密度抽出上下BOX界面のための新しいCV/GV技術【Powered by NICT】

Novel CV/GV technique for top and bottom BOX interfaces traps density extraction on FDSOI wafers

著者 (6件)： Vandendaele W. (CEA LETI - MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Malaquin C. (SOITEC SA, Parc Technologique des Fontaines, 38190 Bernin, France) ,  Ghorbel A. (SOITEC SA, Parc Technologique des Fontaines, 38190 Bernin, France) ,  Casse M. (CEA LETI - MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Allibert F. (SOITEC SA, Parc Technologique des Fontaines, 38190 Bernin, France) ,  Reimbold G. (CEA LETI - MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FDSOI膜を埋め込んだ新しい容量性構造を単CV/GV測定によるトップ(膜/BOX)と底部(BOX/基板)界面でDitを抽出するために試験プラットフォームとして役立つ。完全空乏化SOI(FDSOI)裸のウエハ界面品質はCV/GVmeasurementとモデリングとG/ωピークフィッティングにより初めて評価した。FDSOI膜厚の影響は上部界面Ditに関連した特定のG/ωピーク振幅で評価した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 捕獲 ,  モデリング ,  膜厚 ,  *界面 ,  品質

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： FDSOI ,  ウエハ ,  捕捉 ,  密度 ,  BOX ,  界面 ,  CV