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J-GLOBAL ID:201802262067372628   整理番号:18A0129762

高熱伝導薄膜基板系とそれらの界面熱抵抗のキャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Characterisation of high thermal conductivity thin-film substrate systems and their interface thermal resistance
著者 (8件):
資料名:
巻: 334  ページ: 233-242  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,高い熱伝導率薄膜基板系と膜の間の界面熱抵抗を特性化した。一三オメガ(3ω)法を提案し,検証,浅い熱的侵入深さで信頼性のある熱伝導率測定を得た。法は,個々の熱伝導率を同定するための薄膜/基板システムに適用した。薄膜間の界面熱抵抗は,理論的モデリングと実験的測定を用いて特性化することに成功した。IC産業における法の応用の一例として,AlN/Si系を調べた。研究は,AlN/Si系における厚み2μmのAlN膜の熱伝導率は,172.1mKであり,AlN/Si界面熱抵抗は1.796×10~ 9m~2 8m2K/Wであることを同定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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比熱・熱伝導一般  ,  その他の無機化合物の薄膜  ,  ガラス・セラミック被覆一般  ,  金属材料へのセラミック被覆 
タイトルに関連する用語 (4件):
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