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J-GLOBAL ID：201802262458749400   整理番号：18A0228619

高ゲインを示す安定なグラフェン-二次元多相ペロブスカイトへテロ構造フォトトランジスタ

Stable Graphene-Two-Dimensional Multiphase Perovskite Heterostructure Phototransistors with High Gain

著者 (13件)： SHAO Yuchuan (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  LIU Ye (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  CHEN Xiaolong (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  CHEN Chen (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  SARPKAYA Ibrahim (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  CHEN Zhaolai (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  FANG Yanjun (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  KONG Jaemin (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  WATANABE Kenji (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TAYLOR Andre (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  HUANG Jinsong (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  XIA Fengnian (Yale Univ., Connecticut, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 12  ページ： 7330-7338  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,基板に垂直方向に沿い異なる2Dペロブスカイト相を配置した新開発二段階配位子交換スピンコーティング法に基づくグラフェン-二次元多相ペロブスカイトへテロ構造フォトトランジスタを示した。式(BA)₂(MA)_n-1Pb_nI_3n+1 (BA⁺=CH₃(CH₂)₃NH₃⁺,MA⁺=CH₃NH₃⁺,n=ヨウ化鉛八面体層数)の2D有機-無機ペロブスカイトは耐湿性改善太陽電池応用で3Dメチルアンモニウムヨウ化鉛の代替材料である。フォトトランジスタでは,2Dペロブスカイト薄膜で種々のバンドギャップを持つ多相が電子-正孔分離用に配置され,532nmで高応答性約10⁵A・W^-1を導き,設計位相配列法は2Dペロブスカイト薄膜上面に沿い,より耐水性BA⁺を凝集させ湿気浸透を防ぎデバイス安定性を増強した。

シソーラス用語： 耐湿性 ,  安定性 ,  *フォトトランジスタ ,  *グラフェン ,  *有機-無機ハイブリッド ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  配位子交換 ,  スピンコーティング ,  多相 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  電子正孔対 ,  電荷分離 ,  応答特性 ,  耐水性 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *ゲイン ,  ヨウ化鉛 ,  二次元構造 ,  *ヘテロ構造 ,  *ペロブスカイト型太陽電池

分類 (4件)： 電池一般  (YB04010O) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  分子化合物の結晶構造  (BK09050T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (2件)： ブチルアンモニウム ,  メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (6件)： 高ゲイン ,  グラフェン ,  多相 ,  ペロブスカイト ,  テロ ,  フォトトランジスタ