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J-GLOBAL ID：201802262468227642   整理番号：18A1144285

抵抗ランダムアクセスメモリにおけるランダム電信雑音:コンパクトモデリングと先進回路設計【JST・京大機械翻訳】

Random Telegraph Noise in Resistive Random Access Memories: Compact Modeling and Advanced Circuit Design

著者 (4件)： Puglisi Francesco Maria (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari,”, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Zagni Nicolo (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari,”, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Larcher Luca (Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy) ,  Pavan Paolo (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari,”, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 7  ページ： 2964-2972  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,HfO_2ベース抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイスにおけるランダム電信雑音(RTN)の物理ベースのコンパクトモデルの導出について報告した。高抵抗状態と低抵抗状態で異なる電荷輸送の物理から出発して,自己無撞着物理シミュレーションと幾何学的単純化に基づいて,ハイブリッドアプローチを利用するRTNの原因となる機構を調べた。次に,最新のRRAMコンパクトモデルにおいて着実に統合できる,両方の状態で有効なRTNの単純で効果的な物理ベースのコンパクトモデルを開発した。RTNコンパクトモデル予測を,異なる条件でRRAMデバイスを測定することにより得られた大きな実験データセットと文献で報告されたデータとの比較により検証した。さらに,メモリ,セキュリティ,および論理応用のための3つの異なる回路を探索することにより,このモデルが高度な回路シミュレーションを可能にすることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *回路設計 ,  簡素化 ,  セキュリティ ,  回路シミュレーション ,  *記憶装置
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  コンパクトモデル ,  *コンパクトモデリング ,  *電信雑音 ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  電信雑音 ,  コンパクトモデリング ,  回路設計